近年来，半导体行业发展迅速，以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体快速发展，其应用市场也随之迎来快速增长。近日，毅达资本投资英诺赛科，为“双碳”背景下我国半导体材料的自主研发再次助力。

英诺赛科成立于2015年，专注于8英寸硅基氮化镓器件的研发和制造，目前立足于珠海和苏州两大生产基地，是全球第三代半导体硅基氮化镓领域的龙头企业之一。氮化镓作为第三代半导体材料，凭借优异的物理特性，给产业应用带来巨大的系统优势，前景非常广阔。随着规模化生产技术的成熟，氮化镓将成为未来功率半导体的主流，其需求将在消费电子、数据中心、5G基站、新能源车等多个领域迎来爆发式增长。

英诺赛科的核心技术团队由半导体和（电力）电子行业专家和资深人士组成，在硅基氮化镓技术的开发和大规模量产方面拥有丰富的经验，填补了国内在该领域的空白。公司还汇集了系统工程领域的专家，其技术实力和自主研发能力在全球已处于领先地位。

本轮融资将继续支持英诺赛科加速技术迭代，继续提升业务规模、扩大技术领先优势，为国产氮化镓芯片的崛起贡献力量。